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全球首个大规模微发光二极管芯片项目落户鄂州!

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发表于 2019-4-28 08:59:25 | 显示全部楼层 |阅读模式
  昨天(4月26日),鄂州市发改委官网发布,全球首个大规模微发光二极管(Mini/Micro LED)芯片项目落户鄂州葛店经济开发区,总投资120亿元。
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  微发光二极管,体积是目前主流LED的1%,其优势在于既有高亮度、高可靠度及反应时间快等特点,又有自发光特性,易实现节能效果。据介绍,该项目占地700亩,由三安光电股份有限公司投资建设,并将得到国家集成电路产业大基金和湖北省长江产业基金的支持,项目建设周期3.5年,一期工程2年内投产。

  三安光电葛店基地项目建成达产后,将形成年产MiniLED芯片210万片、MicroLED芯片26万片的研发制造能力,产品主要提供三星、华为、苹果等全球知名公司。
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  目前,鄂州市正协调各有关部门做好服务工作,确保三安光电葛店基地项目尽快投产达效。中电时空信息技术研究院有关专家表示,该项目是全球首个大规模基于第三代半导体、代表新型显示产业方向的光电芯片项目,对推动湖北乃至国家光电信息产业发展具有重要意义。
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项目概况

  该项目总投资约120亿元,占地700亩,项目建成达产后,形成年产MiniLED芯片210万片、Micro LED芯片26万片的研发制造能力。项目建设期3年左右,一期工程2年内投产。
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项目意义

  该项目代表全球新一代显示技术的发展方向,高度契合我省“一芯两带三区”和我市“三城一化”战略需求,是湖北建设“光谷科技创新大走廊”的重要支撑性项目,对树立新一代半导体全球领先地位具有重要意义。该项目的建设将带来光电芯片、新一代功率器件、射频芯片和滤波器、Micro显示屏及其上下游产业链入驻聚集,彻底改变鄂州冶金建材为主体的传统产业结构,为推进鄂州产业高质量发展奠定坚实基础。

  同时,该项目的入驻,将使鄂州市成为国家重要的第三代半导体产业基地,对推动湖北乃至国家光电信息产业发展,具有引领作用。

下步安排

  下一步,市发改委将协同相关单位,全力做好项目前期服务工作,确保该项目第三季度全面动工建设,尽快实现达产达效。同时,积极依托该项目作为“大国重器”上升为省和国家战略,争取将此项目申报进入国家“十四五”规划光电信息产业重大生产力布局项目,成为国家级第三代半导体基地,将为新一代光电信息产业链聚集鄂州,营造良好的政策环境。

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